A对
B错
Si、GaAs、InP三种基本半导体材料中,电子迁移率最高的是哪种?最低的是哪种?
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简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。
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太阳能电池基片的厚度GaAs为(),a-Si为()。
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下列晶体中占优势的缺陷有哪些? (1)用MgCl2掺杂的NaCl; (2)用Y2O3掺杂的ZrO2; (3)用YF3掺杂的CaF2; (4)用As掺杂的Si; (5)在一种还原气氛中加热过的WO3。
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合金弹簧钢中加入Si、Mn、Cr、V、W等合金元素,其中加入Si、Mn的主要作用是()
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回答下列问题: (1)300℃时Si(CH3)4和Pb(CH3)4发生热解的相对难易; (2)Li4(CH3)4、B(CH3)3、Si(CH3)4和Si(CH3)Cl3的相对Lewis酸性; (3)Si(CH3)4和As(CH3)3的相对Lewis碱性; (4)Li4(CH3)4和Hg(CH3)2从GeCl4中取代Cl-的趋势。
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在SI制中功率的因次为()。
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Al/Si接触中的尖楔现象?
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即使a-Si太阳能电池的p层的厚度只有7nm,依然有()的光被吸收,为了将此吸再降低,必须提高p层的()。
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