锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。

利用万用表测量晶体二极管内PN结的（）电阻值，可以大致判别出晶体极管的（）、（）和PN结的材料。

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单结晶体管的结构中有（）个PN结。

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稳压管虽然工作在反向击穿区，但只要（）不超过允许值，PN结不会过热而损坏。

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晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。

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晶体管工作在放大状态时，发射结反偏，对于硅管约为0.7v，锗管约为0.3v。

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PN结的反向漏电流（）而急剧增大。

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晶体二极管含有PN结的个数为（）。

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根据PN结的组合方式不同，晶体三极管有（）型和（）型两种类型。

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晶体二极管整流电路是利用PN结的单向导电性来实现整流的。

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