PN结具有（）性能，即加正向电压时，PN结（）；加反向电压时，PN结（）。

晶闸管有（）个PN结。

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半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。

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当三极管的两个PN结都反偏时，则三极管处于（）。

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发光二极管在正向电压小于某一值（）时，电流极小，不发光；当电压超过某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。

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为了保证晶体管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区（）厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。

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发光二极管在正向电压（）某一值时，电流极小，不发光；当电压（）某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。

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为了保证三极管的电流放大．一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。

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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。

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变容二极管采用（）电压，它的值越大结电容则（）。

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