列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
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快速热处理是一种小型的快速加热系统，带有辐射热和冷却源，通常一次处理一片硅片。
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催化加氢法测双键，测定时所用的氢气，必须不含氧气和硫化氢，以免催化剂被氧化或中毒而降低活性。
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为什么小浇口或非平衡布置时要进行热平衡进料？
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硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀？
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硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
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定期排污通常在锅炉热负荷高时进行。（）
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暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
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当硅片暴露在空气中时，会立刻生成一层无定形的氧化硅薄膜。
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