有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。
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在半导体生产中，湿法腐蚀是最主要的用来去除表面材料的刻蚀方法。
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不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。
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晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。
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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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表面粗糙度符号表示表面是用去除材料的方法获得，表示表面是用不去除材料的方法获得。
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集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。
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