现有三块半导体硅材料,已知室温下(300K)它们的空穴浓度分别为:p01=2.25×1016cm-3,p02=1.5×1010cm-3,p03=2.25×104cm-3
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现有三块半导体硅材料,已知室温下(300K)它们的空穴浓度分别为:p01=2.25×1016cm-3,p02=1.5×1010cm-3,p03=2.25×104cm-3
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某二极管在室温(300K)下的反向饱和电流为0.1pA,试分析二极管外加电压在0.5V~0.7V之间变化时,二极管电流的变化范围。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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室温下,施主浓度为1.0×1016cm-3的n型硅Si与铝Al形成金属与半导体接触,Al的功函数为4.30eV,Si的电子亲和能为4.05eV。已知,Nc=1019cm-3,k0T=0.026eV,ln1000=6.9。
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