单系统总功率36dBm及以上时，腔体功分器常温电性能指标的输入口反射三阶互调抑制要求≤（）。

一般情况下，“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近（）的位置，“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近（）的位置。

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腔体二功分器、腔体三功分器和腔体四功分器，其指标要求中总插入损耗（分配损耗+插入损耗）需分别≤（）。

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在设计图纸中应明确标识部署系统及频段的参考信道的链路预算结果，TD-LTE系统标识（）发射功率，单位为dBm。

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TD-LTE室内覆盖系统信源RS输出功率典型值为（）dBm。

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对于GSM系统，交通干线覆盖率定义为：覆盖率=（>=-92dBm测试路段里程数）/测试路段总里程数×100%。

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若定义移动台的最大发射功率33dBm，则其对应的功率为多少瓦？（）

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支持TD-LTE等中国移动系统的室分系统功分器、耦合器要求的工作频段为（）MHz。

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一般场景下TD-LTE天线口功率不高于（）dBm，对于大型会展中心等场景，天线口功率还可适当酌情提高，但应满足国家对于电磁辐射防护的规定。

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根据《QB-A-035-2011中国移动无源器件技术规范》，腔体定向耦合器6dB、10dB、15dB、20dB，其指标要求中直通端总插入损耗（含分配损耗）分别是（）。

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