在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（）以上。
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本征半导体硅的禁带宽度是1.14eV，它能吸收的辐射的最大波长为（）。（普朗克恒量h＝6.63×10-34J·s，1eV＝1.6×10-19J）
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例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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制造半导体元件时，常常需要测定硅片上的二氧化硅薄膜的厚度．可以将二氧化硅薄膜的一部分腐蚀掉，露出一个倾斜的劈尖膜．用波长为589.3nm的钠光垂直照射，观察到如图所示的条纹．已知硅的折射率为3.42，二氧化硅的折射率n=1.52，计算此氧化层的厚度d．
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半导体材料的载流子是什么？若在半导体硅中掺入有三个价电子的元素，形成何种类型半导体？五价？
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表征超导体性能的三个主要指标是什么?
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衡量超导体的最基本的三个量是什么，并作解释。
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例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
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例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
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