在宽频带放大器中，为提高晶体管的高频端截止频率，常采用共（）放大电路。

在高频放大电路中，常用（）来消除晶体管内部反馈的影响。

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放大器的输出电阻，在一般情况下，希望它尽量（），以提高其带负载能力。

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在高频系统中同一级的晶体管和它的元器件应（）。

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在多级放大器中采用（）方式，各级放大器晶体管的静态工作点互不影响。

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在放大电路中，晶体管出现饱和是由于（）。

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放大器中的高频高电位元器件一般布置在（）轴上为宜，高频低电位的元器件一般布置在（）轴上为宜。这种布局使得电流避免在底座上乱流。

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高频系统中，晶体管对电磁场干扰很敏感，一般都应作电磁屏蔽。

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在高频电路中为了提高PCB抗干扰能力，通常使用（）进行屏蔽和散热。

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在三极管放大电路的三种基本组态中，（）带负载的能力最强。

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