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略
相似试题
由N沟道耗尽型场效应管组成的电路如下图所示。设UGSQ=-0.2V, Gm=1.2ms。 试求： （1）电路中的静态工作点IDQ和UGSQ之值 （2）画出微变等效电路图 （3）电压放大倍数Áu （4）输入电阻Ri和输出电阻RO
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对于某一SI光纤，其归一化频率为2.2，纤芯直径为10um。画出其横平面内的光强度分布图，并计算在多大半径距离上场强降到峰值的10%
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三极管放大电路如图所示。已知：rbb’=300Ω，β=49，VBEQ=0.7V，RC=6.4KΩ，RL=6.4KΩ，RE=2.3KΩ （1）画出其微变等效电路 （2）计算电压放大倍数Au （3）计算输出电阻Ro
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聚氧乙烯型表面活性剂随温度升高到某一点时，溶液开始变混浊，这时的温度称为浊点.
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA，VDD=16v，RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。 试求： （1）静态工作点Q （2）画出微变等效电路 （3）电压放大倍数Au （4）输入电阻Ri、输出电阻Ro
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对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）
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P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻，但是通常使用N型半导体材料，这是由于电子的（）比空穴大。
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SI型LNG气瓶内的压力上升到（）Mpa的时候，一级安全阀自动启动，LNG气体进行排空，以降低罐内压力和温度。
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