当晶体管的发射结正偏的时候，晶体管一定工作在放大区。

晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。

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PN结正偏的特性是（）。

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对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。

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用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时，（）。

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绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是以场效应晶体管作为基极，以（）作为发射与集电极复合而成。

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分压式电流负反馈偏置电路晶体管发射极电容Ce是用来防止对交流信号产生反馈的。（）

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晶体管（三极管）有（）、（）、（）等三种工作状态，三极管饱和时，其发射结为（）偏置，集电结为（）偏置。

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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。

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绝缘栅双极型晶体管（IGTR）是以（）作为基极，以（）作为发射极与集电极复合而成。

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