一般分析扩散系数，考虑两种条件，即恒定表面浓度条件和（）。

恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。

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扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。

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扩散炉中的管道一般都是用（）制作。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。

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在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。

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在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。

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下列可作为磷扩散源的是（）。

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扩散工艺现在广泛应用于制作（）。

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