晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）。

电路如图所示，晶体管T的输出特性如图所示，已知Ucc=20V，Rc=0.5kΩ，晶体管工作在Q点时的IB=200，要求： （1）试计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数β，晶体管的集射极电压降UCE。（设UCE=0.6V）； （2）若电路中其他参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。

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晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。

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晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是（）、（）、（）。

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晶体管的直流特性（）是指晶体管的输入和输出电流-电压关系曲线。

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由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。

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当集电极与发射极间电压UCE为（）时，（）与（）之间的关系曲线称为输入特性曲线。当（）为常数时，（）与（）之间的关系曲线称为输出曲线。

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三极管的共射极电路输入特性曲线表示（）与（）之间的关系。

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摄谱法原子发射光谱用感光板的乳剂特性曲线表示（）与（）之间的关系。

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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。

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