简答题

简述应变退火法制备铝单晶的几种工艺。

正确答案

(1)先在550℃使纯度为99.06%的铝退火,以消除原有应变的影响和提供要求的大小,再使无应变的晶粒较细的铝变形以产生1%-2%的应变,然后将温度从450℃,长到550℃,按25℃/天的速度退火,在一些场合,最后再要在600℃退火1h。
(2)在初始退火之后,较低温度下的所谓回复退火会减少晶粒数目,并帮助晶粒在后期退火时更快地长大。在320℃退火4h以得到回复,接着加热试样到450℃,并在该温度下保温2h,这样便长出长约15cm,直径约1mm的丝状单晶。
(3)在液氮温度附近冷滚轧,继之在640℃退火10s,并在水中淬火,制备了用于再结晶的铝,此时样品中含有2mm大小的晶粒和强烈的织构,再通过一个温度梯度退火,然后加热到640℃,可得到约1m长的晶体。
(4)采用交替施加应变和退火的方法,很容易抽取宽2.5cm的高纯单晶铝带,使用的应变不足以使新晶粒成核,而退火温度为640℃。

答案解析

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