APROM
BEPROM
CSRAM
DDRAM
在内存储器中,需要对()所存的信息进行周期性的刷新。
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以下存储器中,只有()是以电容来存储信息,需要定期进行刷新。
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()是使用电容器类型的存储器,而且需要周期性的进行刷新。
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静态存储器需要刷新,否则信息丢失。
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有一个1024K×32位的存储器,由128K×8位的DRAM构成。问:(1)总共需要多少DRAM芯片?(2)采用异步刷新,如果单元刷新间隔不超过8ms,则刷新信号周期是多少?
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某机器的主存储器共32KB,由16片16K×1位(内部采用128×128存储阵列)的DRAM芯片字和位同时扩展构成。若采用集中式刷新方式,且刷新周期为2ms,那么所有存储单元刷新一遍需要()个存储周期。
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有一个64K×16位的存储器,由16K×1位的DRAM芯片(芯片内是128×128结构)构成,存储器读/写周期为500ns,试问: 1)需要多少片DRAM芯片? 2)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少? 3)如果采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少时间?
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静态RAM是依靠()存储信息的,而动态RAM是依靠()来存储信息的。其中()RAM需要定期刷新。
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静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同?为什么动态MOS存储器需要刷新?一般有哪几种刷新方式?
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