（）为了提高反向击穿电压，在PN结之间加入了一层高阻本征层。

当PN结外加正向电压时，（）占优，耗尽层变窄。

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面接触型二极管的PN结结面积大，极间电容大，可承受较大的电流，适用于（）。

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TTL门电路为了提高负载能力，通常在其输出级采用（）。

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硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。

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为了减小整流电路输出电压的纹波，整流电路使用了（）。

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如果测得晶体三极管的集电极和发射极之间的电压（）就可判定三极管工作在截止区。

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理想电流源与理想电压源之间存在互相等效的关系。

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PN结最重要的特点是单向导电性。

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二极管的反向饱和电流在20℃时为5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流为（）。

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