下图所示电路中，若电阻从 2Ω变到 10Ω，则电流i（）。

下图所示二极管峰值包络检波电路中，已知RL1＝1.2kΩ，RL2=6.8kΩ，Cg＝20μF，调幅波的载频fc＝10.7MHz，调制信号频率F＝（300～5000）Hz，最大调幅系数mamax＝0.8，若要求电路不产生惰性失真和底部切割失真，求检波电容C和电阻Rg的值。

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下图所示的分压式偏置放大电路中，已知VCC＝24V，RC=3.3kΩ，RE=1.5kΩ，RB1=33kΩ，RB2=10kΩ，RL=5.1kΩ，晶体管的β＝66。试求 （1）静态工作点IB，IC，UCE。 （2）求电压放大倍数Au、输入电阻ri，输出电阻ro。

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电路如图所示，晶体管T的输出特性如图所示，已知Ucc=20V，Rc=0.5kΩ，晶体管工作在Q点时的IB=200，要求： （1）试计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数β，晶体管的集射极电压降UCE。（设UCE=0.6V）； （2）若电路中其他参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，试将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。

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CMOS门组成的微分型单稳态触发器如图所示。若电阻R=1kΩ ，电容C=0.1μF，试计算该电路的暂稳态时间。

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三极管放大电路如图所示。已知：rbb’=300Ω，β=49，VBEQ=0.7V，RC=6.4KΩ，RL=6.4KΩ，RE=2.3KΩ （1）画出其微变等效电路 （2）计算电压放大倍数Au （3）计算输出电阻Ro

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如图所示电路中R＝8KΩ，RF＝1KΩ，UR＝－10V，试求： （1）在输入四位二进制数D＝1001时，网络输出u0＝？  （2）若u0＝1.25V，则可以判断输入的四位二进制数D＝？

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如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA，VDD=16v，RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。 试求： （1）静态工作点Q  （2）画出微变等效电路  （3）电压放大倍数Au  （4）输入电阻Ri、输出电阻Ro 

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图示电路中2Ω电阻吸收的功率P等于（）。

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已知电路如下图所示，求流过4Ω电阻的电流。

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