在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF₄的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。

在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。

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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

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（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。

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多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

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通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

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刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

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在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

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为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

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下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。

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