半导体动态随机存储器需要每隔（）对其刷新一次。

半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。

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MOS型半导体随机存储器可分为（）和（）两种，后者在使用过程中每2ms内要刷新一次。

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RAM的特点是（）；根据存储原理可分为（）和（），其中要求定时对其进行刷新的是动态RAM。

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在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是（）。

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静态RAM和动态RAM的存储元件分别是什么？动态RAM为什么需要刷新？进行刷新需要外部提供什么条件？

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静态MOS存储器与动态MOS存储器存储信息的原理有何不同？为什么动态MOS存储器需要刷新？一般有哪几种刷新方式？

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静态RAM是依靠（）存储信息的，而动态RAM是依靠（）来存储信息的。其中（）RAM需要定期刷新。

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请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。

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动态存储器的刷新是按（）（填行或列）进行；若存储单体的容量为64K，采用双译码且地址线平均送到两个译码器中，则刷新地址计数器的模为（）。

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