如在系统中只扩展一片2716,除应使用P0口的8条口线外,至少还应使用P2口的口线()。
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试以剪力墙结构中的一片横墙剪力墙为例,说明在水平荷载作用下,剪力墙每一层的层间位移中哪一部分称为”有害位移”,哪一部分称为”无害位移”。
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当8031外出扩程序存储器8KB时,需使用EPROM2716()。
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若在MCS-51系统中只扩展一片Inter 2764(8K×8),除应使用P0口的8条口线外,至少还需要使用P2口的口线()。
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让10-3mol电子通过温度为165℃,在两个Ag电极之间夹一片AgI(AgI是Ag+离子导体),两电极之间施加的电压为0.1V的电解池,阴极、阳极和AgI的质量定量变化(Ag的原子量108)为()。
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Intel公司典型的单片机有()和()。
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INTEL8051CPU是()位的单片机
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Intel公司的MCS-48初级微处理器具有()。
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试以硅的沉淀脱氧为例,叙述提高脱氧效果的途径?
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