单选题

由N=D²/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。

A 对探伤有利

B 对探伤不利

C 半扩散角增大

D 超声波能量发散

正确答案

来源：www.examk.com

答案解析

略

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