一般来说，被试设备的体积电容愈大，或局部集中缺陷的范围愈小，总体tanδ的数值增加也就愈小，对缺陷的反映愈不灵敏。

当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

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当被试品具有较大电容时，tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

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M型介质试验器被试品测试支路包括被试品的等值电阻、等值电容及测量用电阻。

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温度对tanδ测试结果具有较大影响，一般同一被试设备，tanδ随温度的升高而升高。

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绝缘介质在交流电压作用下，其中电容性的电流的大小与被试品的电容量大小有关。

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M型介质试验器的三个支路是极性判别支路、标准电容支路及被试品测试支路。

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绝缘介质在交流电压作用下，其中电阻性的电流的大小与被试品的电容量大小有关。

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当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时，介质损耗P与tanδ成反比。

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在套管法兰附近加大直径，主要目的是减小体积电容，提高沿面放电电压。

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