当温度升高时，半导体三极管的β值（）。

温度每升高1℃，三极管的β将增大（）。

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当温度升高时，半导体的导电率将（）。

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温度升高导致三极管参数发生（）变化。

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本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。

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当温度升高时，放大器的的静态工作点会（）。

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温度的升高最终结果都是使三极管的集电极电流（），从而影响整个放大电路的稳定性，实际电路中可采用基极分压式（）

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半导体三极管中的一个PN结，可以用来替代同材料的二极管。

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利用半导体二极管的反向击穿特性，可以组成二极管稳压电路。

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型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。

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