在一般情况下，介损tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。

在一般情况下，介质损耗tgδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏。

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在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。

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在现场测量介损tgδ时，如果试验电源的电压波形不好，含有较大的（）分量，则电桥很难（）。在与电气化铁路距离较近的变电站测量介损tgδ时上述情况尤为严重。

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一般电气设备随着绝缘受潮其绝缘电阻下降，泄漏电流增加，介损tgδ值（）。

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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）

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用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。

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绝缘体有缺陷时，其介损tgδ将随试验（）升高而变（）。

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已知110kV电容式套管介损tgδ在20℃时的标准不大于1.5%，在电场干扰下，用倒相法进行两次测量，第一次R31＝796Ω，tgδ1＝4.3%，第二次R32＝1061Ω，-tgδ＝－2%，分流器为0.01档，试验时温度为30℃，试问这只套管是否合格？（30℃时tgδ换算至20℃时的换算系数为0.88）

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现场用QSI型西林电桥测量设备绝缘的tgδ，当出现较大电场干扰时，则在任意调换试验用电源的相别和极性的情况下，所测得的tgδ值大。

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