N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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N型半导体中的少数载子是（）。
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N型半导体导电是从（）导电为主。
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在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
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在硅或锗本征半导体中掺如微量的（）就可得到N型半导体。
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本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。
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处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
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型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
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