为了严密地分析a-Si太阳能电池的工作解析的话，必须要对（）三个量的非线性结合的电子及空穴输送方程式同时进行求解。

即使a-Si太阳能电池的p层的厚度只有7nm，依然有（）的光被吸收，为了将此吸再降低，必须提高p层的（）。

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太阳能电池基片的厚度GaAs为（），a-Si为（）。

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在a-Si：H太阳能电池中，此低光吸收和（），可以作为电极或者窗口一侧的结合层来利用。

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a-Si太阳能电池是由形成（）和负极的二个导电层、作为活性部分的半导体层这三层基本结构构成的

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a-Si太阳能电池是大面积制膜，但透明导电层的阻力引起的损失使电池无法得到（），因此有必要分割为复数电池片，再进行电气结合。

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a-Si：H作为四面体结合的非晶体，是由（）束缚结构构成的，为了缓和坚固的电路内部应力，易引发不可见光能带等的结构缺陷。

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太阳电池组件为了获得更高的工作电压，可以把组件（）起来，为了获得更大的输出电流，可以将组件（）使用。

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为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在（）状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在（）状态。

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为了有效地实现基极调幅，调制器必须工作在（）状态，为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在过压状态。

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