双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结（）、集电结（）。

双极型晶体管可以作为放大晶体管，也可以作为（）来使用，在电路中得到了大量的应用。

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双极型晶体管可以用来产生、放大和处理各种（）。

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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。

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工作在放大区的NPN型三极管，其偏置条件是（）

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双极型三极管有几种工作状态？每个状态PN结偏置情况如何？

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对于共发射极接法的NPN型三极管工作在截止区的偏置条件是（）

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由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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双极型功率晶体管与VDMOS的复合器件是（）。

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双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。

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