光敏电阻吸收了光量子能量，使得载流子迁移率增加，导致电导率增加。

由于晶体缺陷使正常的晶格发生了扭曲，造成晶格畸变。晶格畸变使得金属能量（），金属的强度、硬度和电阻减小。

单选题查看答案

制作霍尔元件应采用的材料是（），因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现电势差最大。

填空题查看答案

制作霍尔元件应采用的材料是半导体材料，因为半导体材料能使截流子的迁移率与电阻率的乘积最大，而使两个端面出现（）差最大。

填空题查看答案

迁移率反映的是载流子（）在单位电场作用下的平均漂移速度。

填空题查看答案

空间实验室中失重状态下生长的GaAs与地面生长的GaAs相比，载流子迁移率要高，这是因为（）

单选题查看答案

在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为（）。

单选题查看答案

决定电子运动能量的量子数是（）

单选题查看答案

光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈（）趋势。

填空题查看答案

建立量子化霍尔电阻应具备（）。

多选题查看答案