半导体激光器（LD）有哪些特性？

（1）P-I特性：当激光器注入电流增加时，受激发射量增加，一旦超过PN结中光的吸收损耗，激光器就开始振荡，于是光输出功率急剧增大，使激光器发生振荡时的电流称为阈值电流I _th，只有当注入电流等于或大于阈值，激光器才发射激光。
（2）微分量子效率d：激光器输出光子数的增量与注入电子数的增量之比，定义为微分子效率，即：
（3）光谱特性：光源谱线宽度是衡量器件发光单色性的一个物理量。激光器发射光谱的宽度取决于激发的纵模数目，对于存在若干个纵模的光谱特性可画出包络线。其谱线宽度定义为输出光功率峰值下降3dB时的半功率点对应的宽度。对于高速率系统采用的单纵模激光器，则以光功率峰值下降20dB时的功率点对应的宽度评定。
（4）温度特性：半导体激光器阈值电流随温度增加而加大。尤其是工作于波长波段的InGaAsP激光器，阈值电流对温度更敏感。

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