A5年
B10年
C15年
D20年
根据IPIC条约的规定,对于布图设计的“原创性”要求是高于著作权对()保护的独创性的要求,低于专利对组合发明的创造性的要求。
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根据我国集成电路布图设计保护条例的规定,布图设计权的取得方式为().
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在我国,集成电路布图设计专有权的保护期为().
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在我国,布图设计专有权的保护期为几年?无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起几年后,不再受保护?
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发明专利权保护期限“()”外观设计和实用新型为“()”
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我国专利法规定,外观设计专利权的保护期限为()
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在我国,布图设计专有权的保护期为()年,自布图设计登记申请之日或者在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准。但是,无论是否登记或者投入商业利用,布图设计自创作完成之日起()年后,不再受保护。
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美国对布图设计的保护采用了()原则。
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被保护的集成电路布图设计应当具有()。
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