一般哪类氧化物是n型半导体，p型半导体？其生成机理？

1. N型半导体的生成
（1）含有过量金属原子，如ZnO部分分解或还原而含有非化学计量的锌原子，过剩电子形成施主能级。
（2）用高价离子取代晶格中的正离子
（3）掺入电负性小的杂原子
N型半导体的导电性取决于导带中的自由电子数。提高温度、提高施主能级位置、增加施主杂质浓度都可提高N型半导体的导电性。
N半导体：ZnO、CuO、V₂O₅、Fe₂O₃、WO₃高价氧化物）
2.P型半导体的生成
（1）正离子缺位，如NiO中过量氧离子的产生造成正离子缺位。
（2）低价正离子取代高价正离子，如NiO中Li⁺取代Ni²⁺。
（3）掺入电负性大的杂原子，如NiO中掺入电负性大的F原子，F从邻近的Ni夺取电子成为F^-，同时产生一个Ni³⁺，它相当于Ni²⁺束缚一个正电荷，产生空穴导电，生成P型半导体。降低温度、降低受主能级位置、增加受主杂质浓度都可提高P型半导体的导电性。
P型半导体：NiO、CoO、Cu₂O、FeO、MnO、WO₂（低价氧化物）

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