SRAM和DRAM主要有哪些区别？

SRAM特点：
SRAM的基本存储单元是6管双稳态触发电路存储信息。
每个基本存储元存储二进制数一位，许多个基本存储元形成行列存储矩阵。
SRAM一般采用“字结构”存储矩阵：每个存储单元存放多位（4、8、16等）速度快（<5ns），不需刷新，外围电路比较简单，但集成度低（存储容量小，约1Mbit/片），功耗大。
在PC机中，SRAM被广泛地用作高速缓冲存储器Cache
DRAM特点：
DRAM的存储元主要由电容构成；
存储信息不稳定，需要“读出再生放大电路”定时刷新。 每次同时对一行的存储单元进行刷新 DRAM一般采用“位结构”存储体： 每个存储单元存放一位 存储容量高（集成度高），功耗低，存取速度较低，价格便宜，主要用作主内存。

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