A内光电效应
B外光电效应
C光磁电效应
D光子牵引效应
半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。
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在光的作用下,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,引起物体电阻率的变化,这种现象称为()。
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电子能级间隔越小,跃迁时吸收光子的()
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为了使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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处于高能级E2的电子,在未受外界激发的情况下,自发地跃迁到低能级E1,从而发射出一个能量为hf(=E2-E1)的光子的过程称为()
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处于高能级E2的电子,在未受外界激发的情况下,自发地跃迁到低能级E1,从而发射出一个能量为hf(=E2-E1)的光子的过程称为()。
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光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时,光子在()激发出电子-空穴对,在自建电场的作用下,电子流向N区,空穴流向P区,使P区和N区两端产生电位差,P端为正,N端为负
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当()照射到金属表面上时,会使金属表面的电子获得能量,脱离金属,变成光电子,存在光电发射现象。
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电子跃迁有哪几种类型?跃迁所需的能量大小顺序如何?具有什么样结构的化合物产生紫外吸收光谱?紫外吸收光谱有何特征?
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