简述熔体法生长单晶的特点以及主要方法？
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简述常用单晶生长方法
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直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
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直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
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影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应；③杂质的蒸发效应；④生长过程中坩埚或系统内杂质的沾污；⑤加入杂质量；
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晶体光纤可分为单晶与多晶两类。单晶光纤的制造方法主要有（）和（）。
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说明获得单晶或全部柱状晶的方法及注意事项
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说明获得单晶或全部柱状晶的方法及注意事项。
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制备单晶硅薄膜方面的主要工艺方法是（）.
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