锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
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硅材料二极管的死区电压为0.3V。
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锗二极管的正向导通电压为（）。
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二极（锗）管的死区电压为（）。
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锗管的正偏导通电压为（）伏左右。
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一个硅二极管反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为（）。
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当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速（）。
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把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）。
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对放大电路中的三极管测量，各级对地电压为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V则该管是（）
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