QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器，可测量电容量为300PF~100μF的试品。

高压无损耗标准电容有三个引出套管，分别为“高压”套管、“低压”套管及（）。

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高压无损耗标准电容有三个引出套管，分别为“高压”套管、“低压”套管及“屏蔽层”套管。

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QS1电桥包括升压试验设备、QS1电桥桥体及（）。

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QS1电桥包括升压试验设备QS1电桥桥体及（）。

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采用QS1电桥测量tanδ的接线方式一般有差接线及和接线。

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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度（）。

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采用QS1电桥测量tanδ，正接线比反接线准确度低。

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采用QS1电桥进行反接线测试tanδ，其工作电压不可超过10kV。

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工频耐压试验时，施加在试品上的实际试验电压要大于由试验变压器低压侧（电源侧）乘以变压器变压比算得的电压，这种现象称为容升现象。

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