晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。
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晶体三极管的电流放大倍数随温度升高而（）。
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晶体三极管低频小信号放大器能（）。
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晶体三极管截止的条件是（NPN型）（）。
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晶体三极管饱和导通的条件是（）。
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发射极处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
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二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。
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