A有二次击穿
B无二次击穿
C防止二次击穿
D无静电击穿
电力场效应管MOSFET（）现象。
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电力场效应管MOSFET是（）器件。
电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作。
电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。
电力场效应管MOSFET适合于在（）条件下工作。
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
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