A10000V
B5000V
C2500V
D1000V
怎样测量CVT主电容C1和分压电容C2的介损?
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使用高压电桥测量耦合电容器(包括断路器的断口均压电容器)的介损和电容时,宜采用(),反接线测量误差较()。
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测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时,一般情况下C1<C2/5,所以测量时主要反映(C1)的介损值。
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测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时,相同电压等级的(),将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地,否则会造成较大的误差。
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图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥,采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。
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图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥,采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。
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用介损仪反接线测量小电容量试品(<50PF)的介损tgδ及Cx时,在附近处有物体(如梯子等)情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值()。
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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?
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小电容(小于500PF)试品,主要有电容型套管、电容型电流互感器等,对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量,测得的介损tgδ值是一样的。
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