测量CVT分接电容C2的介损和电容量时，C2的“δ”点接介损电桥的高压端，主电容C1高压端接介损电桥的“Cx”端，用正接线法测试。由于“δ”点绝缘水平有限，为保护“δ”，试验电压不超过（）。

怎样测量CVT主电容C1和分压电容C2的介损？

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使用高压电桥测量耦合电容器（包括断路器的断口均压电容器）的介损和电容时，宜采用（），反接线测量误差较（）。

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测量C1与C2相串联的电容式电压互感器绝缘介损时，一般情况下C1＜C2/5，所以测量时主要反映（C1）的介损值。

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测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的介损和电容时，相同电压等级的（），将非测量的其他电压等级的绕组三相短路接地，否则会造成较大的误差。

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图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。

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图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。

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用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。

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在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时，使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些？

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小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。

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