简述N沟道晶体管的工作原理。

栅极电压很小时，源区S和漏区D被P型区隔开，即使在SD之间施加一定的电压，但由于SP和DP区构成两个反向PN结，因此只有微弱的PN反向结电流。
如果栅极电压达到或超过一定的阈值，在P型半导体和氧化物表面处形成反型层——电子的浓度大于体内空穴的浓度，反型层将源区S和漏区D连接起来，此时在SD施加一个电压，则会有明显的电流产生。
通过控制栅极电压的极性和数值，使MOS晶体管处于导通和截止状态，源区S和漏区D之间的电流受到栅极电压的调制——集成电路应用。

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