判断题
A对
B错
正确答案
答案解析
略
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扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
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有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
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离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。
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在化学加固法中哪些方法能够精确控制加固体的直径？
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离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
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离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
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离子注入后进行退火工艺的原因是什么？
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离子注入的主要缺点是什么？如何克服？
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