产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。

产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。

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产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。

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产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

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在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（）。

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在直流耐压试验的半波整流线路中，高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的倍数为（）。

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工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。

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采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。

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在直流耐压试验的半波整流线路中最高试验电压不得超过其额定电压的（）倍。

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高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。

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