A磨牙卡环
B唇弓
C基托
D间隙卡
E带环上的托槽
患者,女性,15岁,主诉牙列不齐。检查:磨牙关系远中尖对尖,上颌尖牙唇向错位,间隙不足,上牙弓拥挤约6mm,下牙弓拥挤4mm,前牙覆牙合覆盖Ⅰ度,直面型。设计:拔牙矫治。此患者治疗过程中磨牙所采用的支抗类型应为()
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下列关于上颌平面导板矫治器的叙述,不正确的是()
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患者,女,13岁,上下牙拥挤Ⅲ°,安氏Ⅱ类上颌前突,骨性高角患者,ANB8°,下颌向前方的生长发育已相当有限。在矫治过程中,要配合何种措施增加磨牙支抗()
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支抗设计在与矫治牙的同一牙弓内,利用一些牙作为支抗而使其他一些矫治牙移动,这种支抗是()
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利用上颌磨牙区种植支抗远中移动上颌尖牙,属于()
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固定矫治结合上颌平面导板矫治深覆牙合,上颌平面导板的作用是()
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FR–Ⅲ矫治器的颊屏厚度()
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单侧垫活动矫治器的适应证是()
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以下不是功能矫治器的是()
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