简述IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
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IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?
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GTR、IGBT等过流保护中,为何要采用检测集射极电压作为保护基准?
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简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
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在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。
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电力电子器件P-MOSFET为()器件。
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下列选项中,()不是P-MOSFET的一般特性。
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P-MOSFET的保护主要有工作保护和()。
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对于GTR器件,常采用共()极接法。
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