内部RAM中，（40H）=60H，（41H）=70H，（60H）=30H，（61H）=80H，执行下列程序片段：MOVR0，#40HMOVA，@R0INC@R0MOVA，@R0则，（A）=（）。

内部RAM中，（40H）=60H，（41H）=70H，（60H）=30H，（61H）=80H，执行下列程序片段：MOVR0，40HMOVA，@R0INCR0MOV@R0，A则，（61H）=（）。

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两个字符串分别存放在首地址为42H和52H的内部RAM中，字符串长度放在41H单元，请编程比较两个字符串。若相等，则把数字00H送40H单元，否则把0FFH送40H单元。

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假设8253的端口地址为40H~43H，那么控制端口地址为（），通道0、1、2的端口地址为40H，41H，42H。

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设堆栈指针SP中的内容为60H，内部RAM中30H和31H单元的内容分别为24H和10H，执行下列程序段后，61H，62H，30H，31H，DPTR及SP中的内容将有何变化？  PUSH  30H  PUSH  31H  POP   DPL  POP   DPH  MOV  30H，#00H  MOV  31H，#0FFH 

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已知（SP）=09H，（DPTR）=4567H，在执行下列指令后，（SP）=（），内部RAM（0AH）=（），（0BH）=（）。

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下列指令中属于访问内部RAM的指令是（）。

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已知8253计数器/定时器端口地址分别是:60H、62H、64H、66H, 初始化程序如下: MOV AL , 77H OUT 46H , AL MOV AL , 21H OUT 42H , AL MOV AL , 40H OUT 42H , AL STI 问: (1)计数器1工作于何种方式? (2)当CLK1为1MHZ时OUT1输出的周期是多少? (3)一个周期中处于低电平的时间是多少?

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两个4位BCD码数相加，被加数和加数分别存于30H、31H和40H、41H单元中（次序为千位、百位在低地址中，十位、个位在高地址中），和数放在50H、51H、52H中（52H用于存放最高位的进位），试编写加法程序。   

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设（SS）=0913H，堆栈的深度为40H个字节，则栈底字单元的物理地址是（）。

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