A发射区掺杂浓度高
B集电结反偏
C基区薄且掺杂浓度低
D集电结面积大
晶体三极管处于放大状态的条件是（）。
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三极管饱和区的放大条件为（）。
晶体三极管放大的内部条件（）
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三极管放大区的条件为（）。
对于阻容耦合的三极管放大电路，以下说法（）是错误的。
晶体三极管的放大参数是（）。
晶体三极管是一种电压放大元件。
判断题查看答案
三极管的结间电容是影响放大电路（）的主要因素。
三极管的结间电容是影响放大电路什么的主要因素（）。
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