碳堆积再生器旋分总压降、分布管压降和密度、藏量显著下降。

硅二极管导通时的正向管压降约 （），锗二极管导通时的管压降约0.3V。

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光电耦合器的正向管压降一般在（）V以下。

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PNP管大多为锗管，其发射结的正向压降一般为（）V。

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在流化床中设计筛孔分布板时，通常分布板开孔率应取约（），以保证一定的压降。

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如图所示电路，已知VCC=20V，RL=8Ω，T1和T2管的饱和管压降|UCES|=0V，ui为正弦波，其有效值为10V。

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如图所示电路，已知VCC=20V，RL=8Ω，T1和T2管的饱和管压降|UCES|=0V，ui为正弦波，其有效值为10V。

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在图所示电路中，已知VCC=12V，RL=16Ω，T1和T2的饱和管压降|UCES|=3V，输入电压足够大，且当ui=0V时，uo=0V。

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在图所示电路中，已知VCC=12V，RL=16Ω，T1和T2的饱和管压降|UCES|=3V，输入电压足够大，且当ui=0V时，uo=0V。

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在图所示电路中，已知VCC=12V，RL=16Ω，T1和T2的饱和管压降|UCES|=3V，输入电压足够大，且当ui=0V时，uo=0V。

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