硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）

硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。

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硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。

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硅管与锗管的死区电压分别为（）。

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硅管与锗管的死区电压分别为（）。

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硅管的正向压降为0.7V。（）

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硅管的正向压降为0.7V。

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硅管的正向压降为（）V。

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一般单结晶体管的谷点电压在（）V。

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小功率硅管的Icbo一般小于（）

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