判断题
电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
电力场效应管MOSFET适于在()条件下工作。
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电力场效应管MOSFET()现象。
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电力场效应管MOSFET()现象。
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电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。
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电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
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电力场效应管MOSFER适于在()条件下工作。
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电力晶体管的开关频率()电力场效应管。
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绝缘栅双极晶体管的开关速度()电力场效应管。
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绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。
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