晶体管工作在放大区时，发射结处于（）。

晶体管工作在放大区时，集电结处于（）。

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发射极处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。

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为了保证晶体管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区（）厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。

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晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。

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晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。

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为了保证三极管的电流放大．一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。

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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。

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在晶体管放大电路中，并联负反馈（）。

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